近日，韩国科学技术院金成镇、李益镇团队公布芯片内置液冷新技术，相关论文6月15日发表于SCI期刊《能源转换与管理》。团队研发嵌入硅片的3D多路歧管微通道冷却结构，在5mm×5mm芯片测试验证：常温水作为冷媒，2000瓦/平方厘米高热负荷下芯片温度低于100℃；冷却性能系数COP达106000，较2020年《自然》同类型嵌入式微通道标杆成果提升近10倍，散热所需泵耗仅为原有方案十分之一。该结构依靠分布式歧管缩短水流路径、减小流阻，搭配一维模型+三维CFD联合仿真优化换热、压降与均温表现。整套工艺兼容CMOS芯片产线，不用金刚石、纳米涂层等昂贵材料；拓展至7.5cm商用AI芯片、数据中心冷板后，冷却性能较传统外置冷板提升30%以上，适用于超算、堆叠芯片、功率器件、军工电子等高发热设备。

结合当前高密度AI算力芯片散热行业发展趋势，我院认为，当下全球算力硬件持续高密度集成，各类传统散热方式逐步接近物理上限，芯片内嵌微通道直冷成为行业重点探索方向。该技术通过优化内部流体分配结构，缩短换热路径，在控温均匀性、能耗控制、量产适配性方面展现出差异化技术路线。从行业发展维度来看，该方案所采用的芯片 - 散热一体化设计思路，可为全球高算力硬件、工业功率电子、无人设备算力终端热管理研发提供参考思路，相关微细流道加工、流体分配优化等工程技术方向，值得行业持续跟踪研究。

该项海外前沿散热技术成果，可为广东芯片及算力产业迭代提供重要参考。一是依托珠三角完备半导体制造、精密加工产业基础，布局芯片内嵌微通道散热相关工艺研发，完善从机柜液冷到芯片级直冷的全链条技术储备；二是联动省内晶圆制造、智算中心、高端算力企业开展协同研发，探索适配国产芯片的低成本一体化散热研发路径，长期助力降低算力基础设施运维能耗；三是依托现有产业优势完善算力散热配套产业链，夯实广东高端半导体产业配套支撑能力。